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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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Theoretical study of polarization-doped GaN-based light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, Applied Physics Letters, 2011, 2011, 卷号: 98, 98, 期号: 10, 页码: 101110, 101110
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Liu, N.X.
;
Wei, T.B.
;
Ji, X.L.
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提交时间:2012/06/14
Electron injection
Gallium alloys
Gallium nitride
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