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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2015 [3]
学科主题
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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III-N device structures and methods
专利
OAI收割
专利号: US9224671, 申请日期: 2015-12-29, 公开日期: 2015-12-29
作者:
PARIKH, PRIMIT
;
DORA, YUVARAJ
;
WU, YIFENG
;
MISHRA, UMESH
;
FICHTENBAUM, NICHOLAS
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提交时间:2019/12/24
Interdigitated multiple pixel arrays of light-emitting devices
专利
OAI收割
专利号: US20150294960A1, 申请日期: 2015-10-15, 公开日期: 2015-10-15
作者:
CHAKRABORTY, ARPAN
;
SHEN, LIKUN
;
MISHRA, UMESH K.
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提交时间:2019/12/30
Iii-n device structures and methods
专利
OAI收割
专利号: US20150041861A1, 申请日期: 2015-02-12, 公开日期: 2015-02-12
作者:
PARIKH, PRIMIT
;
DORA, YUVARAJ
;
WU, YIFENG
;
MISHRA, UMESH
;
FICHTENBAUM, NICHOLAS
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提交时间:2019/12/30
Method to achieve active p-type layer/layers in iii-nitride epitaxial or device structures having buried p-type layers
专利
OAI收割
专利号: WO2017180633A1, 公开日期: 2017-10-19
作者:
ENATSU, YUUKI
;
GUPTA, CHIRAG
;
KELLER, STACIA
;
MISHRA, UMESH K.
;
AGARWAL, ANCHAL
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提交时间:2019/12/26