机构

• 半导体研究所 [2]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2003 [3]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in inp 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 Deng AH; Mascher P; Zhao YW; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  LOW FE CONTENT  POSITRON-LIFETIME  PHASE EPITAXY  PRESSURE  VACANCY  INDIUM  ANNIHILATION  PHOSPHIDE  WAFERS