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Vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser device, and optical transmission device 专利  OAI收割
专利号: US8477821, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02
作者:  
YOSHIKAWA, MASAHIRO;  NAKAYAMA, HIDEO
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Nitride semiconductor wafer and method of processing nitride semiconductor wafer 专利  OAI收割
专利号: US20050145879A1, 公开日期: 2005-07-07
作者:  
NAKAYAMA, MASAHIRO;  MATSUMOTO, NAOKI;  TAMAMURA, KOSHI;  IKEDA, MASAO
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Nitride semiconductor substrate and method of producing same 专利  OAI收割
专利号: US20060071234A1, 公开日期: 2006-04-06
作者:  
IRIKURA, MASATO;  MOCHIDA, YASUSHI;  NAKAYAMA, MASAHIRO
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