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物理研究所 [2]
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OAI收割 [2]
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期刊论文 [2]
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2004 [2]
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Thermal stability of LaAlO3/Si deposited by laser molecular-beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 84, 期号: 14, 页码: 2620
Lu, XB
;
Zhang, X
;
Huang, R
;
Lu, HB
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Chen, ZH
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Xiang, WF
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He, M
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Cheng, BL
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Zhou, HW
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Wang, XP
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Wang, CZ
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Nguyen, BY
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提交时间:2013/09/23
THIN-FILMS
GATE DIELECTRICS
AMORPHOUS LAALO3
SILICON
SI(100)
SI
Field-effect transistors with LaAlO3 and LaAlOxNy gate dielectrics deposited by laser molecular-beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 85, 期号: 16, 页码: 3543
Lu, XB
;
Lu, HB
;
Chen, ZH
;
Zhang, X
;
Huang, R
;
Zhou, HW
;
Wang, XP
;
Nguyen, BY
;
Wang, CZ
;
Xiang, WF
;
He, M
;
Cheng, BL
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提交时间:2013/09/17
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