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浏览/检索结果: 共81条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序 STCF conceptual design report (Volume 1): Physics & detector 期刊论文  OAI收割 FRONTIERS OF PHYSICS, 2024, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 14701 作者:  Achasov, M;  Ai, XC;  An, LP;  Aliberti, R;  An, Q   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2026/03/18 Research on the knee region of cosmic ray by using a novel type of electron-neutron detector array 期刊论文  OAI收割 FRONTIERS OF PHYSICS, 2024, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 44200 作者:  Li, BB;  Ma, XH;  Cui, SW;  Chen, HK;  Chen, TL   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2026/03/18 基于白光中子源的197Au 中子辐射俘获截面测量及共振参数分析 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA 物理学报, 2024, 卷号: 73, 期号: 7, 页码: 72801 作者:  Luo, HT;  Zhang, QW;  Luan, GY;  Wang, XY;  Zou, C   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2026/03/18 Boosting N2 Conversion into NH3 over Ru Catalysts via Modulating the Ru-Promoter Interface 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2023, 卷号: 15, 期号: 49, 页码: 56992-57002 作者:  Su, KL;  Huang, DY;  Fang, HP;  Zhou, YL;  Qi, HF   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2026/03/17 A Reliable Method for Removing Fabry-Perot Effect in Material Characterization with Terahertz Time-Domain Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 2020, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 443-452 作者:  Liu DY(刘大有)   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/07/04 Terahertz  Material Characterization  Fabry-Perot effect  Time domain  Optical Thin Sample   Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：148/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)   Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Wei, Y (Wei, Ying);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Lu, W (Lu, Wu)   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2018/05/07 Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CF (He, Chengfa)   |  收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2018/05/15 Static Noise Margin (Snm)  Static Random Access Memory (Sram)  Total Ionizing Dose (Tid)   Down-regulation of EPAS1 Transcription and Genetic Adaptation of Tibetans to High-altitude Hypoxia 期刊论文  OAI收割 Molecular Biology and Evolution, 2017, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 818–830 作者:  Peng Y;  Cui CY;  Yang DY;  Zhang Q;  Bianbazhuoma 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2017/01/19 Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9 作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2016/12/12 silicon-on-insulator  ionizing radiation  hot carriers