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Method of manufacturing a semiconductor device including a slab layer with a periodic air hole structure and a linear defect region 专利  OAI收割
专利号: US7390683, 申请日期: 2008-06-24, 公开日期: 2008-06-24
作者:  SUGITATSU, ATSUSHI;  TADA, HITOSHI;  NODA, SUSUMU
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