机构

• 物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2010 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 Liu B; Zhang Z; Zhang R; Fu DY; Xie ZL; Lu H; Schaff WJ; Song LH; Cui YC; Hua XM; Han P; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：214/52  |  提交时间：2010/04/28 BAND-GAP  TEMPERATURE-DEPENDENCE  ENERGY  SEMICONDUCTORS  SPECTRA  EPITAXY  GROWTH  LAYERS   Transmission electron microscopy study of epitaxial InN thin films grown on c-plane sapphire 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 1693 Lu, CJ; Duan, XF; Lu, H; Schaff, WJ 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FUNDAMENTAL-BAND GAP  VAPOR-PHASE EPITAXY  THREADING DISLOCATIONS  BUFFER LAYER  POLARITY  DEFECTS