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Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates 专利  OAI收割
专利号: US9653650, 申请日期: 2017-05-16, 公开日期: 2017-05-16
作者:  
CHAKRABORTY, ARPAN;  GRUNDMANN, MICHAEL;  TYAGI, ANURAG
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Vicinal semipolar iii-nitride substrates to compensate tilt of relaxed hetero-epitaxial layers 专利  OAI收割
专利号: WO2012058262A3, 申请日期: 2012-06-21, 公开日期: 2012-06-21
作者:  
SPECK, JAMES S.;  TYAGI, ANURAG;  ROMANOV, ALEXEY E.;  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN P.
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