机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2000 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Relaxed gexsi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451 作者:  Luo, GL;  Chen, PY;  Lin, XF;  Tsien, P;  Fan, TW 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Relaxed GexSi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451 Luo GL; Chen PY; Lin XF; Tsien P; Fan TW 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-ELECTRON-MOBILITY  BUFFER LAYER  SI/SIGE HETEROSTRUCTURES  SI  TEMPERATURE  SILANE  FILMS