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III nitride compound semiconductor element an electrode forming method 专利  OAI收割
专利号: US6806571, 申请日期: 2004-10-19, 公开日期: 2004-10-19
作者:  
SHIBATA, NAOKI;  UEMURA, TOSHIYA;  ASAI, MAKOTO;  KOIDE, YASUO;  MURAKAMI, MASANORI
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