机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 High-mobility germanium-tin(GeSn) P-channel MOSFETs featuring metallic source/drain and sub-370C process modules 期刊论文  OAI收割 technical digest- international electron devices meeting, iedm, 2011, 页码: 16.7.1-16.7.3 Han, Genquan; Su, Shaojian; Zhan, Chunlei; Zhou, Qian; Yang, Yue; Wang, Lanxiang; Guo, Pengfei; Wei, Wang; Wong, Choun Pei; Shen, Ze Xiang; Cheng, Buwen; Yeo, Yee-Chia 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/06/13 Electron devices  Germanium  Tin