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• 高能物理研究所 [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2022 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The interface trap analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with temperature based on conductance method 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics: Conference Series, 2022, 卷号: 2248, 期号: 1, 页码: 12016 作者:  Liang, Yongfeng;  Zhang, Heqiu;  Chen, Huanhuan;  Xing, He;  Cai, Tao   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/11/10