机构

• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Simulation and optimization of GaN-based metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility-transistor using field-dependent drift velocity model 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102 作者:  W.D.Hu;  X.S.Chen;  Z.J.Quan;  X.M.Zhang;  Y.Huangetal.   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/10/11