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• 2009 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Physical Description of Quasi-Saturation and Impact-Ionization Effects in High-Voltage Drain-Extended MOSFETs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2009, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 492-498 Wang, L; Wang, J; Gao, C; Hu, J; Li, P; Li, WJ; Yang, SHY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 MODEL  TRANSISTORS  CIRCUIT  DESIGN  ANALOG