机构

• 宁波材料技术与工程研... [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]

学科主题

• 物理化学 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Grown-in precipitates in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 100, 页码: 033520-1—033520-4 Deren Yang; Yuheng Zeng, Xiangyang Ma, Jiahe Chen, Weijie Song, Weiyan Wang et al. 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/12/16