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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1994 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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共1条,第1-1条
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HIGH-QUALITY INGAP AND INGAP/INALP MULTIPLE-QUANTUM-WELL GROWN BY GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1994, 卷号: 136, 期号: 0, 页码: 306-309
YAN CH
;
SUN DZ
;
GUO HX
;
LI XB
;
ZU SR
;
HUANG YH
;
ZHENG YP
;
KONG MY
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提交时间:2010/11/15
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