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• 苏州纳米技术与纳米仿... [2]

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• 期刊论文 [2]

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• 2017 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东）   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/02/05 Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Song, Liang;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/02/05