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内容类型

• 学位论文 [17]
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发表日期

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学科主题

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浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2018 作者:  季祥海 收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积   基于III-V半导体纳米线光电探测器件的研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  张凯   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体  纳米线  光电探测器  表面钝化  柔性器件   CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 相琳琳 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2017/06/01 第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  II-VI族半导体材料  纳米线   高纯硒化镉（CdSe）多晶原料的合成研究 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2017, 卷号: 046 -   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/10/26 硒化镉  多晶合成  Ⅱ-Ⅵ族半导体   II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 任敬川 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/03 II-VI族半导体  分子束外延  ZnSeTe  单晶薄膜  掺杂   锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄文奇 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2016/06/02 四族合金半导体  能带调控  第一性原理   Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结二维电子气输运特性研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 清华大学, 2014 金东东 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2014/06/05 异质结  二维电子气  输运  散射  Ⅲ-Ⅴ族半导体   II-VI族叠层太阳电池结构设计与材料工艺研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014 张理嫩 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2014/06/04 II-VI族半导体  分子束外延  离子注入  计算模拟  p型掺杂   硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 周旭亮 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2014/05/28 III-V族半导体  硅基  MOCVD  场效应晶体管  Ge表面   硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2014 - 收藏  |  浏览/下载：322/0  |  提交时间：2016/11/06 III-V族半导体  硅基  MOCVD  场效应晶体管  Ge表面