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红外探测材料与器件 [1]
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枸杞子中化学成分的分离分析研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:
赵维花
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提交时间:2023/10/10
枸杞子,净化材料,不同生长期,质谱成像,空间分布
枸杞子中化学成分的分离分析研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:
赵维花
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提交时间:2023/10/10
枸杞子,净化材料,不同生长期,质谱成像,空间分布
基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征
学位论文
OAI收割
硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
荣梓清
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提交时间:2016/04/27
由于给体片段(D)和受体片段(A)间的电荷转移
D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙
且分子偶极矩较大
分子间相互作用较强
利于获得高的载流子迁移率
因此
D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面
稠环分子由于具有刚性平面的构型
重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此
本文以二噻吩并[2
3-b:7
6-b]咔唑(C1)和二噻吩并[3
2-b:6
7-b]咔唑(C2)两个稠环单元作为给体片段
苯并噻二唑(BT)单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物
并且对它们的光物理性质
电化学性质
载流子传输和光伏特性进行了系统研究
主要成果和创新点如下: (1)合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2)
它们均是无定形聚合物。 尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别
但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。 通过理论模拟可以发现
两个聚合物骨架构象完全不同
P(BT-C1)的骨架较为弯曲
而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此
基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管(OTFT)的迁移率较高
达到5.4×10-3 cm2V-1s-1
而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低
为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右
因此
基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池(OSC)器件的开路电压(Voc)明显高于P(BT-C1)
而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显
导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度(Jsc)和填充因子(FF)较高
两个聚合物的能量转换效率(PCE)相差不多
均在5%左右。 (2)以C2为给体单元
BT和二氟代BT为受体单元
合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比
P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性
HOMO能级升高
光谱红移。在BT单元上引入F原子后
聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV
同时帯隙变窄。 理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善
但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显
基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低
PCE均小于2%。
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
北京脉冲低能正电子束流装置研究
期刊论文
OAI收割
中国原子能科学研究院年报, 2007, 期号: 0, 页码: 234
作者:
马雁云
;
王宝义
;
于润升
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提交时间:2015/12/25
低能正电子束:6451
慢正电子束流:4461
聚束器:2848
脉冲宽度:2587
材料表面:2342
不同深度:2306
研究缺陷:1965
斩波器:1801
装置:1741
连续可调:1648
表面修饰对细胞形态和功能的控制
会议论文
OAI收割
23世纪医学工程学术研讨会, 中国北京, 2001-10-1
作者:
陶祖莱
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2014/02/14
表面修饰
细胞形态
材料表面
0
细胞增殖指数
细胞的增殖
00
细胞铺展
粘附性能
0
不同浓度
细胞功能
0
表面细胞
不同材料界面共圆弧裂纹的反平面问题
期刊论文
OAI收割
上海力学, 1991, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 78-85
作者:
蒋持平
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提交时间:2009/08/03
反平面问题
圆弧裂纹
不同材料
应力强度因子
反平面剪切
解析函数边值问题
无穷远点
精确解
代数方程
耐热高碳钢丝新材料试制
期刊论文
OAI收割
金属制品, 1990, 期号: 3, 页码: 18-20
余百年,秦万信
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提交时间:2012/04/12
高碳钢丝:6343
新材料:3803
合金元素:3746
不同温度:3146
抗拉强度:2443
高强度:2232
化学成份:1943
热处理工艺:1710
半成品:1538
韧性:1154
镀双层金属炭纤维的研究
期刊论文
OAI收割
炭素技术, 1989, 期号: 1, 页码: 1-8
孙守金
;
张名大
;
沈祖洪
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提交时间:2012/04/12
短炭纤维:7561
热处理:3448
炭纤维表面:2289
镀铜:2250
金属镀层:2189
镍镀层:2158
铜复合材料:1824
双层金属:1782
铜基复合材料:1738
不同温度:1279
草莓品种引种筛选试验
期刊论文
OAI收割
湖南林业科技, 1989, 期号: 4, 页码: 55-56
顾振蕙,肖和艾,龚惠群,莫继荣,彭晓果,孙青
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提交时间:2012/10/17
多倍体
筛选试验
草莓品种
抗病性
中晚熟品种
材料与方法
座果率
不同品种
北京植物园
适应性强