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微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2009 [1]
学科主题
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栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 5,1135-1139
作者:
曾传滨
;
韩郑生
;
李多力
;
海潮和
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提交时间:2010/06/01
金属氧化物半导体
绝缘体上硅
闩锁
敏感区
栅极触发
临界下降沿