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机构
半导体研究所 [2]
上海技术物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
学位论文 [3]
发表日期
2016 [2]
2004 [1]
学科主题
半导体器件 [2]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
微电子学 [1]
红外探测材料与器件 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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常关型GaN HEMT器件制备研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2016/06/06
AlGaN/GaN
高电子迁移率晶体管
常关型
选区二次外延
100Gbit/s多波长并行高速光探测集成芯片
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
吕倩倩
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2016/06/01
倏逝波耦合
探测器
波导阵列光栅
单片集成
二次外延
分子束外延碲镉汞P型砷掺杂研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2004
作者:
吴俊
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收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/07/11
碲镉汞
分子束外延
砷掺杂
二次离子质谱
热处理
霍尔效应