机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 996-999,1003 作者:  吴峻峰;  李多力;  毕津顺;  薛丽君;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 亚阈值泄漏电流  H型栅  Pmosfet