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采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2018 [1]
2016 [1]
2009 [1]
2004 [1]
学科主题
红外探测材料与器件 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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贮藏温度对鲜枸杞生理指标和营养品质的影响
期刊论文
OAI收割
食品工业科技, 2018, 卷号: 39, 期号: 14, 页码: 264-269+281
作者:
王瑛
;
蒋跃明
;
黄雪梅
;
马三梅
;
屈红霞
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提交时间:2019/01/01
鲜枸杞
贮藏温度
呼吸速率
乙烯产生速率
氨基酸
气态二甲基汞的发生系统与产生速率
期刊论文
OAI收割
环境化学, 2016, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 1792-1798
作者:
孙婷
;
王章玮
;
陈剑
;
张晓山
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浏览/下载:132/0
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提交时间:2017/05/31
二甲基汞
产生速率
高效
发生系统
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
静止单液滴Marangoni效应的产生及对传质系数的影响
会议论文
OAI收割
第一届全国化学工程与生物化工年会, 中国, 2004-11
陆平
;
张广积
;
毛在砂
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提交时间:2013/09/29
Marangoni效应:7997
单液滴:3027
不规则型:2559
传质系数:2533
液液萃取:2246
传质速率:2068
相间传质:1342
产生影响:1310
对流:828
溶质:609