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短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
图案化TiO2薄膜的制备技术 期刊论文  OAI收割
化学进展, 2008, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 66.1(0-5)
梁山; 陈淼
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2013/03/28
光纤光栅制作技术研究 期刊论文  OAI收割
激光与红外, 2007, 期号: 4
作者:  
孙斌;  王立军
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2012/09/25
相位掩膜法制作光纤布拉格光栅的研究 期刊论文  OAI收割
长春理工大学学报, 2006, 期号: 1
王蓟; 王国政; 赵崇光; 刘洋
收藏  |  浏览/下载:56/0  |  提交时间:2012/09/25
分离膜表面光接枝技术研究进展 期刊论文  OAI收割
水处理技术, 2004, 卷号: 1, 期号: 4, 页码: 187-190
宋华; 吴光夏; 钟慧; 续曙光; 张东华; 尚彦文; 张维钧; 吴彤; 张绍来
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2015/05/28
单体光交联制备液晶垂直取向膜 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2004, 期号: 01, 页码: 316-319
作者:  
于涛;  宣丽;  彭增辉
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2013/03/11
由联苯酚双肉桂酸酯制备光控取向膜 期刊论文  OAI收割
应用化学, 2002, 期号: 08, 页码: 715-718
作者:  
于涛;  宣丽;  彭增辉
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2013/03/11
由联苯酚双肉桂酸酯制备光控取向膜 期刊论文  OAI收割
应用化学, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 715-718
张春华; 杨正华; 丁孟贤; 于涛; 彭增辉; 宣丽
收藏  |  浏览/下载:132/0  |  提交时间:2010/11/03