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短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
图案化TiO2薄膜的制备技术
期刊论文
OAI收割
化学进展, 2008, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 66.1(0-5)
梁山
;
陈淼
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提交时间:2013/03/28
图案化 TiO2 膜
自组装
光刻胶
光敏膜
软刻蚀
微接触印刷
patterned TiO2 films
selfassembly
photoresist
photosensitivefilms
softlithography
microcontact printing
光纤光栅制作技术研究
期刊论文
OAI收割
激光与红外, 2007, 期号: 4
作者:
孙斌
;
王立军
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提交时间:2012/09/25
光纤光栅
光敏性
全息
相位掩膜
相位掩膜法制作光纤布拉格光栅的研究
期刊论文
OAI收割
长春理工大学学报, 2006, 期号: 1
王蓟
;
王国政
;
赵崇光
;
刘洋
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2012/09/25
相位掩膜法
光敏光纤
布拉格光栅
分离膜表面光接枝技术研究进展
期刊论文
OAI收割
水处理技术, 2004, 卷号: 1, 期号: 4, 页码: 187-190
宋华
;
吴光夏
;
钟慧
;
续曙光
;
张东华
;
尚彦文
;
张维钧
;
吴彤
;
张绍来
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提交时间:2015/05/28
表面光接枝
分离膜
聚合
光敏剂
单体光交联制备液晶垂直取向膜
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2004, 期号: 01, 页码: 316-319
作者:
于涛
;
宣丽
;
彭增辉
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提交时间:2013/03/11
光敏单体
光交联
液晶
垂直取向膜
六氟双酚A双肉桂酸酯
由联苯酚双肉桂酸酯制备光控取向膜
期刊论文
OAI收割
应用化学, 2002, 期号: 08, 页码: 715-718
作者:
于涛
;
宣丽
;
彭增辉
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提交时间:2013/03/11
联苯酚双肉桂酸酯
光敏小分子
光控取向膜
红外二色性
液晶
织构
由联苯酚双肉桂酸酯制备光控取向膜
期刊论文
OAI收割
应用化学, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 715-718
张春华
;
杨正华
;
丁孟贤
;
于涛
;
彭增辉
;
宣丽
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提交时间:2010/11/03
联苯酚双肉桂酸酯
光敏小分子
光控取向膜
红外二色性
液晶
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