机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 减小发射极宽度提高InGaP／GaAs HBT的性能 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 991-994 作者:  罗明雄;  汪宁;  袁志鹏;  刘训春;  孙海峰   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 自对准工艺  减小发射极宽度  提高ingap／gaas  Hbt的性能