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基于响应面法的新型餐厨垃圾菌剂制备 期刊论文  OAI收割
环境工程学报, 2015, 期号: 5, 页码: 2419-2424
作者:  唐昊;  徐锐;  王晓琳;  曹爱新;  赵国柱
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/28
成分与制备参数对SCR催化剂性能的影响 会议论文  OAI收割
中国工程热物理学会-燃烧学, 2013
王登辉; 惠世恩; 高青; 刘长春; 梁凌
收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2013/11/29
电子束物理气相沉积中的非平衡蒸气射流输运模型 会议论文  OAI收割
LHD2011夏季学术研讨会, 内蒙赤峰, 2011
作者:  李帅辉;  樊菁;  舒勇华
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2014/01/23
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
共沉淀法制备参数对(Y,Gd)_2O_3:Eu~(3+)纳米粉体性能的影响 期刊论文  OAI收割
无机化学学报, 2009, 期号: 5, 页码: 880-885
郭易芬; 马伟民; 闻雷; 沈世妃; 王华栋; 尹凯
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/04/12
纳米晶体材料国际讨论会(Davos)情况简介 期刊论文  OAI收割
自然科学进展, 1994, 期号: 5, 页码: 129-130
卢柯
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/12
稀土热敏电阻 期刊论文  OAI收割
仪器仪表学报, 1987, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 160-164
唐功本
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/06/14
PVC膜钠离子选择电极的研制和应用 期刊论文  OAI收割
分析化学, 1983, 期号: 7, 页码: 515-518
吴国梁; 吕翠美; 高绍文; 薛效贤; 杜秀月; 谭干祖; 徐浚哲; 姚钟麒; 张复昇; 阎志宏
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/05/31