机构

• 微电子研究所 [1]
• 上海应用物理研究所 [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2009 [1]
• 2005 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65 作者:  操神送;  杜云辰;  朱龙源;  兰添翼;  赵水平   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/11/20 ICP干法刻蚀  碲镉汞光导材料  刻蚀气压  电学特性   金刚石、纳米、超纳米金刚石薄膜的生长与刻蚀研究 学位论文  OAI收割 博士, 上海应用物理研究所: 中国科学院上海应用物理研究所, 2009 杨树敏 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2012/04/11 化学气相沉积  金刚石  气压  刻蚀   常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 5，613-617 作者:  赵玲利;  李海江;  王守国;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/05/26 大气压  冷等离子体  光刻胶  刻蚀