机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 SOI动态阈值MOS器件结构改进 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 5，280-284 作者:  宋文斌;  毕津顺;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/06/01 绝缘体上硅  动态阈值场效应管  体电容  体电阻