机构

• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1983 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 用微量取样电感耦合等离子体发射光谱法测定化合物半导体外延层Ga_(1-x)Al_xAs中Ga和Al的原子比及其深度分布 期刊论文  OAI收割 光谱学与光谱分析, 1983, 期号: 03 叶汝求; 江锦恒 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/19 化合物半导体材料:4197  深度分布:4092  外延层:3883  阳极氧化:3866  原子比:3093  化学腐蚀:2690  发射光谱法测定:2607  氧化膜:2192  多层结构:1968  取样:1819