机构

• 半导体研究所 [4]
• 金属研究所 [2]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 学位论文 [5]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2018 [2]
• 2017 [1]
• 2012 [1]
• 2011 [1]
• 2006 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]
• 红外基础研究 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2018 作者:  季祥海 收藏  |  浏览/下载：148/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积   基于III-V半导体纳米线光电探测器件的研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  张凯   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体  纳米线  光电探测器  表面钝化  柔性器件   CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 相琳琳 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2017/06/01 第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  II-VI族半导体材料  纳米线   Si基III-V族半导体异质兼容低维材料的分子束外延生长 学位论文  OAI收割 博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2012, 2012 作者:  贺继方   |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2012/06/15 Si基III-V族半导体  InAs/GaAs量子点  半导体纳米线  自催化生长  分子束外延  Si基iii-v族半导体  Inas/gaas量子点  半导体纳米线  自催化生长  分子束外延   III-V族半导体纳米线生长机理与性质调控的理论研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/09/11 Iii-v族半导体  纳米线  第一性原理  生长机理  电子性质   “镍纳米线/多壁碳纳米管/非晶碳纳米管”一维轴向异质结的结构与伏安特性 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 53 朱静; 罗俊; 叶恒强; 邢英杰; 俞大鹏; 张鹭 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/12 异质结:5720  多壁碳纳米管:4820  伏安特性:4601  镍纳米线:2567  一维:2056  肖特基接触:1971  非晶半导体:1816  轴向:1433  半导体性:1244  界面结构:1119   正交相SnO_2纳米带的电子显微学研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 47 李英; 徐舸; 杨春娜; 马秀良 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/12 纳米带:6337  电子显微学:5278  正交相:3497  一维纳米材料:2550  选区电子衍射:1705  物理性质:1623  纳米线:1505  制备:1437  纳米管:1354  半导体:1233