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采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 学位论文 [10]
• 专利 [3]

发表日期

• 2019 [2]
• 2018 [2]
• 2017 [1]
• 2015 [1]
• 2012 [3]
• 2011 [1]
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学科主题

• 半导体器件 [3]
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• 半导体物理 [1]
• 红外基础研究 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 单根氧化锌微米线基异质结发光二极管研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者:  刘洋   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2020/08/24 氧化锌微米线  紫外发光二极管  电致发光  可调谐发光   电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN109638648A, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16 作者:  李亚节;  周旭亮;  王梦琦;  于红艳;  杨文宇   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院大学, 2018 作者:  季祥海 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积   基于III-V半导体纳米线光电探测器件的研究 学位论文  OAI收割 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  张凯   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体  纳米线  光电探测器  表面钝化  柔性器件   硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017 张望 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/06/01 纳米线晶体管  SOI图形衬底  水平III-V族纳米线  界面态  变温电学特性   硅基III-V族横向纳米线晶体管的工艺研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 洪文婷 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/06/02 硅基叉指结构图形衬底+III-V族纳米线+选区横向生长+费米能级钉扎效应+界面态密度   一种III-V族半导体纳米线晶体管器件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: 201210546598.5, 申请日期: 2012-12-14, 公开日期: 2016-06-20 作者:  王虹;  刘洪刚;  常虎东;  薛百清   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/20 Si基III-V族半导体异质兼容低维材料的分子束外延生长 学位论文  OAI收割 博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2012, 2012 作者:  贺继方   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2012/06/15 Si基III-V族半导体  InAs/GaAs量子点  半导体纳米线  自催化生长  分子束外延  Si基iii-v族半导体  Inas/gaas量子点  半导体纳米线  自催化生长  分子束外延   III-V族磁性半导体量子点和纳米线的分子束外延制备及性能研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2012, 2012 作者:  王思亮   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/06/27 III-V族半导体纳米线生长机理与性质调控的理论研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:  舒海波   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/09/11 Iii-v族半导体  纳米线  第一性原理  生长机理  电子性质