中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
金属研究所 [36]
上海微系统与信息技术... [2]
上海光学精密机械研究... [2]
宁波材料技术与工程研... [1]
采集方式
OAI收割 [41]
内容类型
期刊论文 [35]
会议论文 [4]
学位论文 [2]
发表日期
2015 [1]
2010 [2]
2009 [1]
2008 [4]
2006 [1]
2005 [2]
更多
学科主题
光学材料;晶体 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共41条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
单晶体α-NaYF_4∶Dy~(3+)的制备及光谱特性(英文)
期刊论文
OAI收割
光子学报, 2015, 卷号: 44, 期号: 8, 页码: 127-132
姜永章
;
夏海平
;
张加忠
;
杨硕
;
江东升
;
王成
;
冯治刚
;
张健
;
谷雪梅
;
章践立
;
江浩川
;
陈宝玖
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2016/09/18
光学材料
光谱
布里奇曼方法
α-NaYF4单晶体
白光发射
紫外光
一种[001]取向镍基单晶高温合金蠕变特征
期刊论文
OAI收割
北京科技大学学报, 2010, 期号: 11, 页码: 1459-1463+1488
水丽
;
胡壮麒
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/04/12
高温合金
镍合金
单晶体
蠕变
位错
一种001取向镍基单晶高温合金蠕变特征
期刊论文
OAI收割
北京科技大学学报, 2010, 卷号: 000, 期号: 011, 页码: 1459-1463
作者:
水丽
;
胡壮麒
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2021/02/02
高温合金
镍合金
单晶体
蠕变
位错
面心立方晶体循环形变行为研究
学位论文
OAI收割
博士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2009
李鹏
收藏
  |  
浏览/下载:239/0
  |  
提交时间:2012/04/10
面心立方晶体
铜单晶体
银单晶体
CSS曲线
位错组态
驻留滑移带
形变带
层错能
取向
层错偶极子
扩展位错
[110]和[112]取向β-Sn单晶体的形变行为
期刊论文
OAI收割
金属学报, 2008, 期号: 12, 页码: 1409-1414
刘江涛
;
王中光
;
尚建库
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2012/04/12
单晶体Sn
应变速率敏感指数
激活能
加工硬化指数
交滑移
滑移系
临界分解切应力(CRSS)
ECAP过程中单晶体、双晶体和多晶体的结构演化与变形机制
学位论文
OAI收割
博士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2008
韩卫忠
收藏
  |  
浏览/下载:114/0
  |  
提交时间:2012/04/10
等通道转角挤压
剪切流线
单晶体
双晶体
变形机制
晶界
形变孪生
层错
晶体学取向
层错能
尺寸效应
剪切变形
110和112取向β-Sn单晶体的形变行为
期刊论文
OAI收割
金属学报, 2008, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1409-1414
作者:
刘江涛
;
王中光
;
尚建库
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2021/02/02
单晶体Sn
应变速率敏感指数
激活能
加工硬化指数
交滑移
滑移系
临界分解切应力(CRSS)
110和112取向β-Sn单晶体的形变行为
期刊论文
OAI收割
金属学报, 2008, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1409-1414
作者:
刘江涛
;
王中光
;
尚建库
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2021/02/02
单晶体Sn
应变速率敏感指数
激活能
加工硬化指数
交滑移
滑移系
临界分解切应力(CRSS)
铜单晶体循环变形疲劳极限的取向效应
会议论文
OAI收割
第十三届全国疲劳与断裂学术会议, 北京, 2006-06-24
李小武
;
李守新
;
王中光
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2013/08/21
金属材料
铜单晶体
循环形变
疲劳极限值
位错结构
透明导电氧化物β-Ga2O3单晶生长的研究进展
期刊论文
OAI收割
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 676, 681
张俊刚
;
夏长泰
;
吴锋
;
裴广庆
;
徐军
收藏
  |  
浏览/下载:1132/135
  |  
提交时间:2009/09/24
透明导电材料
β-Ga2O3
单晶体
浮区法
衬底