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基于色谱与ICP-MS联用技术的多元金属纳米 材料生长机制及可控合成研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院生态环境研究中心, 2020
作者:  赖余建
  |  收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2021/07/02
GaN基绿光激光器的MOCVD外延生长研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
李增成
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2014/05/30
新型催化剂控制生长单壁碳纳米管及其机理研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012
刘碧录
收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2013/04/12
多孔TiO2/FTO纳米有序阵列膜的可控生长研究 期刊论文  OAI收割
西北师范大学学报(自然科学版), 2010, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 37-42
王成伟; 马军满; 李燕; 张其君
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/09/28
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
浓度可控的聚己内酯溶液中非经典和经典环带球晶的形成—链扩散和生长速率对晶体形态的调控 学位论文  OAI收割
博士, 长春应用化学研究所: 中国科学院长春应用化学研究所, 2008
王宗宝
收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2011/01/17
Langmuir-Blodgett 薄膜诱导晶体生长研究 学位论文  OAI收割
博士, 长春应用化学研究所: 中国科学院长春应用化学研究所, 2008
芦菲
收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2011/01/17
有序 TiO2 纳米管阵列结构的可控生长及其物相研究 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 9, 页码: 5800-5805
作者:  刘维民
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2013/03/28