机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 卷号: 33, 期号: 9, 页码: 3，784-786 作者:  王文博;  宋李梅;  王晓慧;  杜寰;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/27 双栅氧刻蚀  Ldmos  栅源台阶高度  多晶残留