机构

• 微电子研究所 [2]
• 遥感与数字地球研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 1991 [1]
• 1982 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 赵勇兵 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/06/01 AlGaN/GaN HFET  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压   源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6，1007-1012 作者:  韩郑生;  宋文斌;  许高博;  曾传滨   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅soi  Esd  源漏硅化物  二次击穿  导通电阻  栅接地nmos器件   新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 4,503_506 作者:  陆江;  蔡小五;  海潮和;  王立新   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 Vdmos  超结  击穿电压  导通电阻   超大规模集成电路设计基础 第三讲 NMOS VLSI的结构特性 期刊论文  OAI收割 电子技术应用, 1991, 期号: 3, 页码: 36-40 刘以暠,冯世琴 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/01/07 NMOS VLSI  多层布线  扩散层  反相器  简化结构  拓扑结构  扩散区  导通电阻  逻辑电路  三维立体结构   多路脉冲幅度的测量 期刊论文  OAI收割 电测与仪表, 1982, 期号: 2, 页码: 30-33 作者:  张承宪 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2015/12/14 脉冲幅度  采样保持电路  模拟开关  输出级  导通电阻  测量原理  选择器  输入级  运算放大器  采样保持器