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OAI收割 [15]
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2018 [1]
2013 [1]
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红外基础研究 [2]
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1160nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备
期刊论文
OAI收割
中国激光, 2020, 卷号: 47, 期号: 07, 页码: 261-268
作者:
张卓
;
宁永强
;
张建伟
;
张继业
;
曾玉刚
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提交时间:2021/07/06
激光物理
半导体激光器
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
增益芯片
应变量子阱
1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备
期刊论文
OAI收割
中国激光, 2020, 页码: 14
作者:
张卓
;
宁永强
;
张建伟
;
张继业
;
曾玉刚
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2021/07/06
半导体激光器
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
增益芯片
应变量子阱
AlGaInAs近红外半导体激光器外延结构的退化机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
宋悦
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提交时间:2019/09/23
AlGaInAs应变量子阱
铟离析
载流子局域化中心
热膨胀系数
热处理
852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长
期刊论文
OAI收割
光学精密工程, 2013, 期号: 03, 页码: 590-597
作者:
曾玉刚
;
秦莉
;
张星
;
宁永强
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提交时间:2014/03/07
半导体激光器
应变量子阱
外延生长
波长漂移
反射各向异性谱
高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵
期刊论文
OAI收割
光学精密工程, 2012, 期号: 10, 页码: 2147-2153
作者:
王立军
;
宁永强
;
张金龙
;
张星
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/03/11
垂直腔面发射激光器列阵
峰值功率
功率密度
InGaAs/GaAsP应变量子阱
HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
朱亮清
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提交时间:2012/09/11
Hgmnte磁性半导体
Fuorier变换红外光谱
Kp微扰理论
束缚磁极化子
Gainp应变量子阱
镍-氢电池充放电过程中的化学物理现象及机制
期刊论文
OAI收割
吉首大学学报(自然科学版), 2009, 期号: 06
杨传铮
;
娄豫皖
;
夏保佳
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
干法刻蚀
应变量子阱
光致发光谱
损伤
光电功能材料的量子态特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
王茺
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2012/08/14
光电功能材料
介电函数
压电调制光谱
光调制光谱
量子态
应变量子阱
Inas/ingaas量子点
光致发光光谱
Ganxas1-x合金薄膜
弧线形效应
锰氧化物p-n结
量子干涉效应
正磁电阻
标度理论
相干长度
MBE生长940nm应变量子阱半导体激光器研究
会议论文
OAI收割
第八届真空技术应用学术年会, 2005
董明礼
;
曲轶
;
艾立昆
;
李银柱
;
李玉英
;
袁俊
;
何江玲
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/18
MBE 应变量子阱 半导体激光器
GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算
期刊论文
OAI收割
激光杂志, 2004, 期号: 05, 页码: 29-31
作者:
秦莉
;
宁永强
;
王立军
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提交时间:2013/03/11
应变量子阱
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