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机构
半导体研究所 [5]
金属研究所 [1]
合肥物质科学研究院 [1]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
学位论文 [5]
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [3]
2015 [1]
2014 [1]
2010 [1]
2006 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
微电子学 [3]
光电子学 [2]
半导体器件 [2]
低维半导体物理 [1]
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共7条,第1-7条
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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
季祥海
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浏览/下载:134/0
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提交时间:2018/06/04
Iii-v族半导体纳米线
异质结纳米线
自催化生长机制
金属有机化学气相沉积
基于一维纳米线的光电探测器研究及其在柔性图像传感器中的应用
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
李禄东
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/06/01
单组分纳米线
异质结纳米线
光电探测器
图像传感器
柔性电子
基于一维纳米线的光电探测器研究及其在柔性图像传感器中的应用
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
李禄东
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/06/01
单组分纳米线
异质结纳米线
光电探测器
图像传感器
柔性电子
MOCVD自催化生长InAs纳米线的研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
王小耶
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2015/05/27
InAs
InAs/GaSb
纳米线
MOCVD(金属有机化学气相沉积)
自催化
图形衬底
纳米线阵列
立式环栅
异质结纳米线
高质量窄禁带半导体纳米线及其异质结构分子束外延生长与表征
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2014, 2014
作者:
潘东
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2014/05/27
InAs纳米线
InAs/InSb纳米异质结
生长机制
分子束外延
Inas纳米线
Inas/insb纳米异质结
生长机制
分子束外延
钴、镍纳米线及其异质结的制备与磁性研究
期刊论文
OAI收割
材料导报, 2010, 卷号: 024
作者:
陈延彪
;
杨友文
;
孔祥存
;
吴玉程
;
孔明光
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2020/11/23
电沉积
钴纳米线
镍纳米线
异质结
磁学性能
“镍纳米线/多壁碳纳米管/非晶碳纳米管”一维轴向异质结的结构与伏安特性
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 53
朱静
;
罗俊
;
叶恒强
;
邢英杰
;
俞大鹏
;
张鹭
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/04/12
异质结:5720
多壁碳纳米管:4820
伏安特性:4601
镍纳米线:2567
一维:2056
肖特基接触:1971
非晶半导体:1816
轴向:1433
半导体性:1244
界面结构:1119