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上海技术物理研究所 [2]
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InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
李为军
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提交时间:2012/08/22
Ingan/gan多量子阱发光二极管
电致发光谱
态填充效应
应力致发光
纳米压印和su8技术
量子阱模型
量子点模型
内建极化场
Alingan
台阶型量子阱
Staggered 型量子阱
内量子效率
数值模拟
稀氮III-N-V半导体及InAs量子点的分子束外延生长和性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
刘昭麟
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提交时间:2012/08/22
分子束外延
稀氮半导体
氮等离子体
Ga(In)Nas
Gansb
Inas量子点
光致发光谱
光调制反射光谱
原子力显微分析
快速热退火
质子注入
局域态
价带分裂
晶格弛豫
声子相关长度
态填充效应