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Suppression of substrate mode in GaN-based green laser diodes
期刊论文
OAI收割
Optics Express, 2020, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 15497-15504
作者:
Jiang, Lingrong
;
Liu, Jianping
;
Zhang, Liqun
;
Qiu, Bocang
;
Tian, Aiqin
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提交时间:2020/05/28
Semiconductor laser, operating method for a semiconductor laser, and method for determining the optimum fill factor of a semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: WO2019121407A1, 申请日期: 2019-06-27, 公开日期: 2019-06-27
作者:
KÖNIG, HARALD
;
STOJETZ, BERNHARD
;
LELL, ALFRED
;
ALI, MUHAMMAD
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提交时间:2019/12/30
Patterned color converting element for laser diode
专利
OAI收割
专利号: US10274139, 申请日期: 2019-04-30, 公开日期: 2019-04-30
作者:
GOUTAIN, ERIC
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提交时间:2019/12/23
Edge-emitting laser bar
专利
OAI收割
专利号: WO2019042827A1, 申请日期: 2019-03-07, 公开日期: 2019-03-07
作者:
LELL, ALFRED
;
ALI, MUHAMMAD
;
STOJETZ, BERNHARD
;
KÖNIG, HARALD
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/12/31
一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
作者:
孙钱
;
冯美鑫
;
周宇
;
高宏伟
;
杨辉
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提交时间:2019/12/31
GaN基新型结构激光器及其制作方法
专利
OAI收割
专利号: CN107742825A, 申请日期: 2018-02-27, 公开日期: 2018-02-27
作者:
孙慧卿
;
汪鑫
;
郭志友
;
张秀
;
侯玉菲
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提交时间:2020/01/18
Sermiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
专利
OAI收割
专利号: EP2270875B1, 申请日期: 2018-01-10, 公开日期: 2018-01-10
作者:
BADER, STEFAN
;
HAHN, BERTHOLD
;
HÄRLE, VOLKER
;
LUGAUER, HANS-JÜRGEN
;
MUNDBROD-VANGEROW, MANFRED
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提交时间:2019/12/24
Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018
作者:
Dai, Shujun(戴淑君)
;
Gao, Hongwei(高宏伟)
;
Zhou, Yu(周宇)
;
Zhong, Yaozong
;
Wang, Jin
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提交时间:2019/03/27
Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN
专利
OAI收割
专利号: PL228535B1, 申请日期: 2017-11-06, 公开日期: 2018-04-30
作者:
STAŃCZYK SZYMON
;
KAFAR ANNA
;
CZERNECKI ROBERT
;
SUSKI TADEUSZ
;
PERLIN PIOTR
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提交时间:2019/12/26
具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件
专利
OAI收割
专利号: CN106911079A, 申请日期: 2017-06-30, 公开日期: 2017-06-30
作者:
詹姆斯·W·拉林
;
保罗·鲁迪
;
白辰东
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提交时间:2020/01/18