机构

• 金属研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 1997 [1]
• 1996 [1]
• 1980 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 面心立方晶体循环形变行为的物理本质 会议论文  OAI收割 第十五届全国疲劳与断裂学术会议, 2010 李鹏 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2014/01/09 面心立方晶体  位错组态  驻留滑移带  层错能  层错偶极子  扩展位错   面心立方晶体循环形变行为研究 学位论文  OAI收割 博士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2009 李鹏 收藏  |  浏览/下载：240/0  |  提交时间：2012/04/10 面心立方晶体  铜单晶体  银单晶体  CSS曲线  位错组态  驻留滑移带  形变带  层错能  取向  层错偶极子  扩展位错   单晶 Ni 基合金蠕变初期的组织形貌及演化 期刊论文  OAI收割 沈阳工业大学学报, 1997, 期号: 6, 页码: 67-72 田素贵,周惠华,张静华,杨洪才,徐永波,胡壮麒 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/04/12 单晶Ni基合金  交滑移  “F－R”源扩展位错   激光重熔Al－Si合金层间隙析出Si中缺陷研究 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 1996, 期号: 6, 页码: 22 赵云飞,李斗星 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/12 Al－Si合金:7153  激光重熔:5902  层间隙:2356  半位错:1688  孪晶结构:1156  晶体缺陷:1090  电子显微学:963  扩展位错:907  原子面:821  高分辨电子显微像:795   硅晶体中单个位错的运动 期刊论文  OAI收割 物理学报, 1980, 期号: 6, 页码: 698-705 巴图,何怡贞 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/12 单个位错:6260  硅晶体:3980  位错环:2905  位错运动:2695  扩展位错:2638  半位错:2381  弯结:2255  分解切应力:2230  运动速度:2043  硅单晶:1542