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浏览/检索结果: 共34条,第1-10条 帮助

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基于多角度偏振成像仪数据的测试光源变化提取方法研究 期刊论文  OAI收割
光子学报, 2022, 卷号: 51
作者:  
叶晨;  骆冬根;  李怡心;  姚萍萍;  王羿
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2023/11/10
HXMT卫星侧面探测器的动态性能分析 期刊论文  OAI收割
装备制造技术, 2017, 期号: 1, 页码: 123-127
作者:  
邓达人;  闫旭;  孟春玲;  张刚;  马立鹏
  |  收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2019/07/11
天文红外焦平面探测器性能参数的测试和评估方法研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院(云南天文台), 2014
作者:  
蔡云芳
收藏  |  浏览/下载:154/0  |  提交时间:2016/04/06
基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器 期刊论文  OAI收割
红外与毫米波学报, 2012, 期号: 1, 页码: 11-14+90
朱耀明; 李永富; 李雪; 唐恒敬; 邵秀梅; 陈郁; 邓洪海; 魏鹏; 张永刚; 龚海梅
收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2013/02/22
用于脉冲星导航的X射线探测器性能研究 会议论文  OAI收割
第二届中国卫星导航学术年会, 中国上海, 2011
盛立志; 赵宝升; 胡慧君; 王朋; 鄢秋荣; 陈宝梅; 欧阳晓平; 陈鼎
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2012/10/19
脉冲星导航  探测器  灵敏度  时间分辨|Abstract  脉冲星导航的核心组件之一是X射线探测器。本文分析了脉冲星导航用X射线探测器的特点和要求  提出了基于微通道板MCP的光子计数探测器方案。该探测器由光电阴极  MCP组和前端电子学组成。探测灵敏度和时间分辨是脉冲星导航探测器的重要技术指标  本文利用硅AXUV100G标准探测器对采用裸MCP探测器和反射式CsI光电阴极探测器的灵敏度进行对比和标定  测得反射式CsI光阴极探测器的灵敏度达5000A/W  是裸MCP探测器的10倍。同时  本文分析了探测器时间分辨性能的影响因素  测定了MCP的时间分辨和前端电子学的时间分辨  结果表明探测器总时间分辨优于20ns。  
LGBO中子闪烁探测器性能实验研究 期刊论文  OAI收割
中国原子能科学研究院年报, 2011, 期号: 0, 页码: 281-282
作者:  
张国光;  窦玉玲;  衡月昆;  张建福
收藏  |  浏览/下载:48/0  |  提交时间:2015/12/21
博士论文-ARGO-YBJ实验的宇宙线月影及``膝''区能谱唯象研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  
王博
收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2015/10/12
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
BESIII飞行时间探测器电子学中的光电倍增管测试 期刊论文  OAI收割
核技术, 2008, 期号: 1, 页码: 5--9
作者:  
吴金杰;  衡月昆;  刘树彬;  郭建华;  封常青
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2015/12/21