机构

• 长春光学精密机械与物... [6]
• 过程工程研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]
• 长春应用化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [9]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2002 [2]
• 1991 [1]
• 1988 [3]
• 1987 [2]
• 1982 [2]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 应用环境扫描电镜研究硫酸钾小晶体生长 会议论文  OAI收割 第十二届全国电子显微学会议, 中国山西太原, 2002-08 陈勇; 邵曼君; 李竹川 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/29 晶体生长速率:4586  扫描电镜研究:4471  硫酸钾:4466  应用环境:3150  生长过程:2868  小晶体:2829  大晶体:2152  过饱和度:2133  生长条件:1547  粒度相:1131   应用环境扫描电镜研究硫酸钾小晶体生长 期刊论文  OAI收割 电子显微学报, 2002, 期号: 05, 页码: 761-762 陈勇; 邵曼君; 李竹川 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/12/24 硫酸钾小晶体:8321  扫描电镜研究:3240  晶体生长速率:2536  应用环境:2433  晶体生长过程:1717  过饱和度:1381  过程工程:1111  生长条件:894  中国科学院:768  开放实验室:646   热应力的计算及对晶体完整性的影响 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 1991, 期号: Z1, 页码: 425 刘景和; 肖汉武; 刘新军 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2013/03/11 晶体完整性:6811  力的计算:4538  热应力:4432  晶体生长速率:1884  晶体生长过程:1635  晶体开裂:1326  冷却速率:1217  均匀成核:1164  精密机械:1132  范性形变:1117   温梯法生长晶体中界面运动速度与坩埚下降速度间关系的讨论 期刊论文  OAI收割 人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 413 杨魁胜; 韩立义; 李建利; 刘景和; 姜国经; 于长江 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/03/11 温梯法:5473  生长晶体:4184  运动速度:3772  中界面:3471  下降速度:3315  精密机械:2331  影响因素:2132  晶体生长速度:1376  坩埚:1344  晶体生长过程:1250   CaF_2晶体色心形成及物理性能 期刊论文  OAI收割 人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 335 崔凤柱; 赵仁宁; 姜国经; 于长江 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/11 物理性能:6063  CaF_2:5217  光学材料:3941  色心:2765  中国科学院:1820  激光晶体:1709  精密机械:1503  晶体缺陷:1222  晶体生长过程:1208  热释光:1173   快速生长水溶晶体新方法——电渗析法 期刊论文  OAI收割 人工晶体, 1988, 期号: Z1, 页码: 262 惠博然 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/03/12 电渗析法:5616  晶体生长设备:4585  快速生长:4570  新方法:4059  晶体生长过程:2043  电渗析器:1195  生长晶体:1155  控制电流:1062  阳离子交换膜:1008  水溶:981   铌酸锂晶体生长 期刊论文  OAI收割 长春光学精密机械学院学报, 1987, 期号: 03, 页码: 73-77 刘景和; 乔茂有; 李建利 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/11 晶体生长:6466  晶体半径:5074  晶体开裂:2771  生长过程:2499  热应力:1945  基本理论:1864  法线方向:1736  生长速率:1714  退火:1644  生长条纹:1608   KDP晶体的快速生长 期刊论文  OAI收割 长春光学精密机械学院学报, 1987, 期号: 02, 页码: 47-52 惠博然 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/11 快速生长:4724  生长速度:4604  晶体生长设备:3943  阳离子交换膜:3364  电渗析法:2998  生长过程:2849  有机玻璃:2080  籽晶:1687  透明:1657  方法:1603   氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量 期刊论文  OAI收割 核技术, 1982, 期号: 6, 页码: 66-68 作者:  季国坤;  黄懋容;  刘年庆 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/25 硅单晶  中子辐照  参数表示  晶体生长过程  总计数  间隙原子  用正  加热处理  化学抛光  机械抛光   YAP晶体的孪晶、解理和开裂问题 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 1982, 期号: Z1, 页码: 136-137 武士学 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/06/15 生长过程  YAP晶体  引上法生长  形成孪晶  孪晶现象  晶体生长