机构

• 沈阳自动化研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 745-749 作者:  王宏;  杨松;  杨志家   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/29 栅极泄漏电流  Sram  栅氧化层厚度  静态噪声边界