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纳米(线)结构改善硅薄膜电池性能
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
张晓东
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提交时间:2016/05/27
硅纳米线电池
In残留物
TCO背电极层
填充因子FF
基于淀粉粒分析的江西广丰社山头遗址植物资源利用
中文期刊论文
OAI收割
2012
作者:
杨晓燕
;
葛全胜
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提交时间:2012/09/01
淀粉粒分析
社山头遗址
陶器残留物
植物资源利用
江西
博士论文-碳纳米管金属残留物表征及其生物安全性研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
葛翠翠
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提交时间:2015/10/12
碳纳米管
金属残留物
定量分析
自由基
气管滴注
淀粉粒分析揭示浙江跨湖桥遗址人类的食物构成
中文期刊论文
OAI收割
2010
作者:
杨晓燕
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提交时间:2012/05/19
淀粉粒分析
炭化残留物
古代食谱
跨湖桥遗址
浙江
栽培藏木香的质量标准研究
学位论文
OAI收割
硕士, 西北高原生物研究所: 中国科学院西北高原生物研究所, 2009
刘文惠
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提交时间:2011/12/20
藏木香
土木香内酯
有害残留物
质量标准
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
毛细管区带电泳技术快速分离检测爆炸残留物中的无机离子
期刊论文
OAI收割
色谱, 2008, 卷号: 1, 期号: 6, 页码: 667-671
冯俊鹤
;
郭宝元
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林金明
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徐建中
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周红
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孙玉友
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刘耀
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权养科
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鲁晓明
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提交时间:2015/04/15
毛细管区带电泳
间接紫外检测
无机离子
爆炸残留物
离子色谱法检测土制硝铵氯化炸药爆炸残留物中的氯酸根
期刊论文
OAI收割
刑事技术, 2008, 卷号: 1, 期号: 3, 页码: 42069
陈承现
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李仁勇
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周革荣
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梁立娜
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提交时间:2015/04/15
离子色谱
爆炸尘土
爆炸残留物
硝酸根
氯酸根
毛家湾罕见巨型瓷器坑若干疑难问题的多种核分析技术综合研究
项目
OAI收割
2008-2010
作者:
冯向前
收藏
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提交时间:2015/07/09
核技术
毛家湾瓷片
明代青花瓷
断代
残留物分析
外源底物对土壤氨基糖生物转化的影响
学位论文
OAI收割
中科院沈阳应用生态研究所: 中国科学院中科院沈阳应用生态研究所, 2003
作者:
梁超
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提交时间:2010/12/15
氨基糖
微生物残留物
有机物料
易变过渡库
土壤