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OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [5]
学位论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2009 [1]
1996 [1]
1995 [1]
1986 [1]
1983 [2]
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学科主题
热能工程 [1]
红外探测材料与器件 [1]
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共8条,第1-8条
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烟火式气体发生器过滤器降温特性研究
会议论文
OAI收割
作者:
程诚,张小兵,王璐
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提交时间:2017/06/19
烟火式气体发生器 金属纤维过滤器 数值模拟 流动与降温特性
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
受迫内流气体发生的理论及实验关联
期刊论文
OAI收割
工程热物理学报, 1996, 卷号: 17, 期号: S1, 页码: 187-190
郭开华
;
陈阵
;
舒碧芬
;
蒙宗信
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提交时间:2010/06/09
气体发生
多相流
混合物
传热传质
受迫内流气体发生过程的传热与传质研究
学位论文
OAI收割
硕士, 1995
陈阵
收藏
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浏览/下载:295/56
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提交时间:2010/07/28
气体发生
传热
传质
关于离子源供气气压稳定性的探讨
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 1986, 期号: 6, 页码: 751-755
作者:
吴日光
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2015/12/25
离子源气压稳定
超纯氢发生器
质量流量控制器
气体稳压阀
吸收式冰箱发展的若干问题
期刊论文
OAI收割
广东制冷, 1983, 期号: 4
黄志成
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浏览/下载:407/62
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提交时间:2010/06/09
扩散吸收式冰箱
吸收式制冷系统
吸收制冷循环
四十年代
空调系统
蒸发器
发生器
连续扩散
惰性气体
发展
等离子体聚四氟乙烯的ESR研究
期刊论文
OAI收割
高等学校化学学报, 1983, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 139-140
宋瑞芳
;
岳世泰
;
刘军
;
陈捷
;
陈占勋
;
刘学恕
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提交时间:2012/06/15
ESR研究
聚四氟乙烯
等离子体聚合
气体冷凝物
自由基
等离子体发生器
校正用标准气体——渗透管配制法
期刊论文
OAI收割
分析仪器, 1976, 期号: 1, 页码: 85-88
朱祥岩
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2012/03/16
渗透管:6973
聚四氟乙烯:3531
气体发生:2663
校准:2557
低浓度:2443
动态检定:2137
自动测定:1998
气体扩散:1928
校正:1885
标准气体:1860