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机构
金属研究所 [1]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
1999 [1]
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PECVD裂解SiCl4低温快速沉积氢化纳米晶硅薄膜的研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012
张林
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提交时间:2013/04/12
等离子体增强化学气相沉积法
氢化纳米硅薄膜
微观结构
PECVD
nc-Si:H film
microstructure
PECVD生长nc—Si:H膜的掺杂特性研究
期刊论文
OAI收割
河北大学学报, 1999, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 5,233-237
作者:
刘明
;
彭英才
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提交时间:2010/05/25
显微结构
电导率
氢化
纳米硅
薄膜
Pecvd