机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2003 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 F1ash器件中氧化硅／氮化硅／氧化硅的特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 4，516-519 作者:  李明;  欧文;  钱鹤   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/05/25 快闪存储器  F1ash  氧化硅／氮化硅／氧化硅 Ono介质层  漏电  临  电场强度