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学位论文 [5]
期刊论文 [5]
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2018 [1]
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2011 [3]
2009 [1]
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2007 [1]
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半导体器件 [1]
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红外探测材料与器件 [1]
终端仪器::滤光器 [1]
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可见波段太阳光谱仪的光谱与辐射定标研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
孙德贝
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提交时间:2019/09/23
太阳光谱仪
辐射定标
波长定标
线性
稳定性
基于二噻吩并咔唑与苯并噻二唑的 D-A 型共轭聚合物的合成与表征
学位论文
OAI收割
硕士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
荣梓清
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提交时间:2016/04/27
由于给体片段(D)和受体片段(A)间的电荷转移
D-A型共轭高分子通常具有较小的光学带隙
且分子偶极矩较大
分子间相互作用较强
利于获得高的载流子迁移率
因此
D-A型共轭聚合物是有机太阳能电池材料领域的研究热点。另一方面
稠环分子由于具有刚性平面的构型
重组能小等优点而被广泛引入D-A型共轭聚合物体系中。因此
本文以二噻吩并[2
3-b:7
6-b]咔唑(C1)和二噻吩并[3
2-b:6
7-b]咔唑(C2)两个稠环单元作为给体片段
苯并噻二唑(BT)单元作为受体片段合成了一系列D-A型共轭聚合物
并且对它们的光物理性质
电化学性质
载流子传输和光伏特性进行了系统研究
主要成果和创新点如下: (1)合成了基于二噻吩并咔唑和烷氧基取代的BT单元的两个聚合物P(BT-C1)和P(BT-C2)
它们均是无定形聚合物。 尽管P(BT-C1)和P(BT-C2)在分子结构上只有硫原子位置不同的差别
但两者在长波长和短波长范围表现出完全相反的相对吸收强度。 通过理论模拟可以发现
两个聚合物骨架构象完全不同
P(BT-C1)的骨架较为弯曲
而P(BT-C2)的骨架线性较好。因此
基于P(BT-C2)的有机薄膜晶体管(OTFT)的迁移率较高
达到5.4×10-3 cm2V-1s-1
而P(BT-C1)的OTFT迁移率较低
为1.9×10-3 cm2V-1s-1。 P(BT-C2)的HOMO能级比P(BT-C1)深0.2 eV左右
因此
基于P(BT-C2)的体异质结有机太阳能电池(OSC)器件的开路电压(Voc)明显高于P(BT-C1)
而P(BT-C1)与PC71BM共混薄膜相分离更加明显
导致P(BT-C1)的OSC器件的短路电流密度(Jsc)和填充因子(FF)较高
两个聚合物的能量转换效率(PCE)相差不多
均在5%左右。 (2)以C2为给体单元
BT和二氟代BT为受体单元
合成了两个共轭聚合物P(C6BT-C2)和P(C6BT2F-C2)。与P(BT-C2)相比
P(C6BT-C2)具有较高的热稳定性
HOMO能级升高
光谱红移。在BT单元上引入F原子后
聚合物的HOMO能级由P(C6BT-C2)的-5.00 eV降低到P(C6BT2F-C2)的-5.20 eV
同时帯隙变窄。 理论模拟发现两者的分子平面性比P(BT-C2)有很大改善
但分子骨架构象较为弯曲。基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OTFT器件在150 oC退火后载流子迁移率分别为4.8×10-3 和4.9×10-3 cm2V-1s-1 。由于与PC71BM共混薄膜的相分离不明显
基于P(C6BT-C2)与P(C6BT2F-C2)的OSC器件的Jsc和FF较低
PCE均小于2%。
高功率脉冲CO_2激光器9.3μm波长选支研究
期刊论文
OAI收割
中国激光, 2011, 期号: 03, 页码: 40-45
作者:
郭劲
;
李殿军
;
杨贵龙
;
邵春雷
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提交时间:2013/03/11
激光技术
脉冲CO2激光器
9.3μm波长
镀膜选支
稳定腔
非稳腔
高功率脉冲CO_2激光器9.3μm波长选支研究
期刊论文
OAI收割
中国激光, 2011, 期号: 03, 页码: 40-45
作者:
邵春雷
;
李殿军
;
郭劲
;
杨贵龙
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提交时间:2013/03/11
激光技术
脉冲CO2激光器
9.3μm波长
镀膜选支
稳定腔
非稳腔
980nm 折射率微扰FP 腔半导体激光器的研制
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
高卓
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提交时间:2011/12/28
FP 腔半导体激光器
折射率微扰
光谱线宽
波长稳定
刻槽图形
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
近红外双折射滤光器的研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
汤学胜
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提交时间:2013/12/18
太阳磁场
双折射率
红外滤光器
视场效应
波长稳定
脉冲TEA CO2激光器输出波长的温度漂移
期刊论文
OAI收割
中国激光, 2008, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 664-669
吴谨
;
唐永新
;
卢远添
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提交时间:2010/05/19
激光技术
脉冲TEA
CO2激光器
波长-温度漂移
六温度模型
平凹稳定腔
光栅谐振腔
体布拉格光栅外腔半导体激光器光谱特性研究
期刊论文
OAI收割
光学学报, 2007, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1821, 1826
辛国锋
;
程灿瞿
;
荣辉
;
方祖捷
;
皮浩洋
;
陈高庭
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提交时间:2009/09/18
激光器
lasers
半导体激光器
semiconductor laser
体布拉格光栅
volume Bragg grating
外腔
external cavity
波长稳定
wavelength stabilization
盘状星系松卷旋密度波引力不稳定性的恒星动力学研究
期刊论文
OAI收割
科学通报, 1980, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 77-81
徐建军
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提交时间:2009/08/03
恒星动力学
引力不稳定性
密度波
恒星系统
周转圆
泊松方程
模型研究
扰动态
短波长