机构

• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2003 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784 作者:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/29 注FCMOS运算放大器  电离辐照  跨导